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MOSFET Aluno : Guilherme Cassimiro de Jesus ors to view nut*ge VDD força os elétrons livres a fluir através do material n. Como no JFET a tensão de porta controla a largura do canal. Quanto mais negativa a tensão, menor a corrente de dreno. Até um momento que a camada de depleção fecha o canal e impede fluxo dos elétrons livres. Com VGS negativo o funcionamento é similar ao Como a porta está isolada eletricamente do canal, pode- se aplicar uma tensão positiva na porta (inversão de polaridade bateria VGG do circuito).

A tensão positiva na porta aumenta o úmero de elétrons livres que fluem através do canal. Quanto maior a tensão, maior a corrente de dreno. Isto é que a diferencia de um JFET. MOSFET de Modo Crescimento ou Intensificação O MOSFET de modo crescimento ou intensificação é uma evolução do MOSFET de modo depleção e de uso generalizado na industria eletrônica em especial nos circuitos digitais. I [PiC] Acima temos um MOSFET de canal n do tipo crescimento e o seu simbolo. O substrato estende-se por todo caminho até o dióxido de silício.

Não existe mais um canal n ligando a fonte e o reno. Quando a tensão da porta é zero, a alimentação VDD força a ida dos elétrons livres da fonte ara o dreno, mas substrato p tem apenas uns poucos el roduzidos termicamente. PAGF9r:FS atrai elétrons livres na região p. Os elétrons livres recombinam- se com as lacunas na região próxima ao dióxido de silicio. Quando a tensão é suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas a dióxldo de silico são preenchidas e elétrons livres começam a fluir da fonte para o dreno.

O efeito é o mesmo que a criação de ma fina camada de material tipo n próximo ao dióxido de silício. Essa camada é chamada de camada de inversão tipo n. Quando ela existe o dispositivo, normalmente aberto, de repente conduz e os elétrons livres fluem facilmente da fonte para o dreno. O VGS mínimo que cria a camada de inversão tipo n é chamado tensão de limiar, simbolizado por VGS(th). Quando VGS é menor que VGS(th), a corrente de dreno é zero. Mas quando VGS é maior VGS(th), uma camada de inversão tlpo n conecta a fonte ao dreno e a corrente de dreno é alta.

VGS(th) pode variar de menos de IV até mais de SV dependendo do MOSFET_ vamos montar as curvas ID x VDS e ID x VGS do MOSFET de modo intensificação e reta de carga típica. No gráfico ID x VDS, a curva mais baixa é para VGS(th). Quando VGS maior que VGS(th), a corrente de dreno é controlada pela tensão da porta. Neste estágio o MOSFET pode trabalhar tanto quanto um resistor (região ôhmica) quanto uma fonte de corrente. A curva ID x VGS, é a curva de transcondutância e é uma curva quadrátlca. O Inicio da parábola está em VGS(th).

Ela é: nde k é uma constante que depende do MOSFET em particular. O fabricante fornece os valores de ID(On) e VGS(On). Então reescrevendo a fórmula: I [pic] PAGF3rl(FS de ID(On) e VGS(On). Então reescrevendo a fórmula: Onde: Tensão [pic] Porta-Fonte Máxima Os MOSFET têm uma fina camada de dióxido de sil(cio, um isolante que impede a circulação de corrente de porta tanto para tensões positivas como negativas. Essa camada Isolante é mantida tão fina quanto possível para dar a porta um melhor controle sobre a corrente de dreno.

Como a camada é muito fina, ? fácil destruí-la com uma tensão porta fonte excessiva. Além da aplicação direta de tensão excessiva entre a porta fonte, pode- se destruir a camada isolante devido a transientes de tensão causados por retirada/colocação do componente com o sistema ligado. O simples ato de tocar um MOSFET pode depositar cargas estáticas suficiente que exceda a especificação de VGS máximo. Alguns MOSFET são protegidos por diodos zener internos em paralelo com a porta e a fonte. Mas eles tem como inconveniente, diminuir a impedância de entrada.

PAGF ápidos e dissipam menos potência. A maioria dessas aplicações, contudo, usa MOSFET’s, que possuem impedâncias de entrada ainda maiores que os JFETs. Referências Bibliográficas CATHEY, Jimmie J. Dispositivos e Circuitos Eletrônicos, ed. São Paulo, Makron Books, 1 994 (Coleção Schaum). MALVINO, Albert paul. Eletrônica vol. l, 40 ed. sao Paulo, Makron Books, 1997. MELLO, Hilton Andrade de; INTRATOR, Edmond. Dispositivos Semicondutores, 3a ed. Rio de Janeiro, Livros Técnicos e Científicos, 1978. Disponível em , acesso em 14 de dezembro de 2011